國家電網(wǎng)招聘考試高頻考點(diǎn)電力電子技術(shù)：典型全控型器件3

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2025-06-01

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4：絕緣柵雙極晶體管

1）IGBT的結構和工作原理

GTR和GTO是雙極型電流驅動(dòng)器件，由于具有電導調制效應，其通流能力很強，但開(kāi)關(guān)速度較低，所需驅動(dòng)功率大，驅動(dòng)電路復雜。而電力MOSFET是單極型電壓驅動(dòng)器件，開(kāi)關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動(dòng)功率小而且驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單。

IGBT的工作原理

導通：uGE大于開(kāi)啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內形成溝道，IGBT導通。

關(guān)斷：柵射極間施加反壓或不加信號時(shí)，IGBT關(guān)斷。

三端器件：柵極G、集電極C和發(fā)射極E

IGBT是GTR與MOSFET組成的達林頓結構，一個(gè)由MOSFET驅動(dòng)的厚基區PNP晶體管。

2）電力電子器件的現狀和發(fā)展趨勢

20世紀90年代中期以來(lái)，逐漸形成了小功率（10kW以下）場(chǎng)合以電力MOSFET為主，中、大功率場(chǎng)合以IGBT為主的壓倒性局面，在10MVA以上或者數千伏以上的應用場(chǎng)合，如果不需要自關(guān)斷能力，那么晶閘管仍然是目前的首選器件。

寬禁帶半導體材料由于其各方面性能都優(yōu)于硅材料，因而是很有前景的電力半導體材料。

小思給大家準備了電工類(lèi)專(zhuān)業(yè)所考察的七科專(zhuān)業(yè)課思維導圖